55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFZ34NPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.042Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 17A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**
- The IRFZ34NPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high current handling capabilities.  
- Suitable for power management, motor control, DC-DC converters, and other switching applications.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss and high efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Current Capability:** Supports up to 30A continuous drain current.  
- **Avalanche Energy Specified:** Provides ruggedness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.