60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFZ44EPBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 17.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 170pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFZ44EPBF is an N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current capability, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power applications.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low R_DS(on) and high switching performance.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Fully Characterized Dynamic dv/dt Rating:** Enhances reliability in high-speed switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **TO-220AB Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.