55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFZ44NS is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 49A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 17.5mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
- The IRFZ44NS is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** to improve performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load switching.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation** for improved stability.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant** for environmental safety.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.