55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFZ44NSTRR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR)  

### **Part Number:**  
IRFZ44NSTRR  

### **Description:**  
The IRFZ44NSTRR is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is part of the HEXFET® family, known for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 49A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 17.5mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 120pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-263 (D2PAK)** (Surface-mount package)  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.