60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFZ44RPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 17.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 430pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 170pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 49ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFZ44RPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance, high current handling, and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Optimized for low R_DS(on) and high switching speed.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in rugged environments.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters:** Provides reliable performance in switching applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.