60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRFZ44VZL is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 49A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 17.5mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions & Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology:** Provides efficient power switching with low on-resistance.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness and reliability.  
- **Fully Characterized Dynamic dV/dt:** Ensures stable performance under switching conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **TO-220 Package:** Industry-standard through-hole package for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IRFZ44VZL.

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package