60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFZ44VZS is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 49A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 160A  
- **Power Dissipation (PD):** 94W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 17.5mΩ (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 400pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 150pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 12ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 44ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFZ44VZS is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current-handling capability, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness under inductive loads.  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation:** Suitable for pulse applications.  
- **TO-263 (D2PAK) Package:** Provides efficient thermal dissipation.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.