55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFZ44ZS is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's datasheet:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W @ 25°C  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 17.5mΩ @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Rise Time (t_r):** 47ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Fall Time (t_f):** 22ns  

### **Description:**
The IRFZ44ZS is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance, high current handling, and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.

### **Features:**
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses  
- **Low R_DS(on)** for improved efficiency  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

The device is available in a TO-263 (D²PAK) surface-mount package.  

*(Source: International Rectifier (IR) Datasheet for IRFZ44ZS)*