55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFZ48NPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 64A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 256A  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 16mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3600pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**
- The IRFZ48NPBF is an N-channel MOSFET designed for high-power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for use in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to false triggering.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For detailed datasheet information, refer to the manufacturer's official documentation.