55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFZ48NSPBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are its key specifications, descriptions, and features:
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 64A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 256A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 140W (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 16mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 3600pF  
- **Output Capacitance (Coss):** 1100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 300pF  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 13ns  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 44ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  
### **Description:**  
The IRFZ48NSPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  
### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses.  
- **Low Gate Charge** for improved switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in harsh environments.  
- **Fully Characterized for Dynamic dV/dt** to ensure reliability.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  
This MOSFET is commonly used in automotive, industrial, and consumer electronics applications.