55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFZ48NSTRL is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 64A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 256A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.014Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Rise Time (t_r):** 60ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFZ48NSTRL is an N-channel power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power electronics applications.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for improved efficiency  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency operation  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical specifications.