HEXFET? Power MOSFET The IRFZ48RPBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 64A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 256A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 16mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3600pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRFZ48RPBF is an N-channel MOSFET designed for high-power switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.

### **Features:**
- **Advanced HEXFET® Technology** for efficient power handling.  
- **Low On-Resistance** minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** enhances performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive loads.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance** ensuring reliability in switching circuits.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant** for environmental safety.  

The device is packaged in a TO-220AB through-hole package for easy mounting and heat dissipation.  

(Source: International Rectifier Datasheet)