60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFZ48VPBF is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRFZ48VPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 64A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 16mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2700pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 170pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Rise Time (t_r):** 60ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRFZ48VPBF is a high-current, low-on-resistance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for high efficiency and fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- High current handling capability.  
- Fast switching speed for improved efficiency.  
- Robust and reliable performance in high-power applications.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to the official documentation.