600V DC-1 kHz (Standard) Copack IGBT in a TO-262 package The IRG4BC10SD-L is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 4.5A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 2.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.65V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRG4BC10SD-L is a high-speed IGBT designed for switching applications. It features low conduction and switching losses, making it suitable for power conversion and motor control applications.  

### **Features:**  
- Low saturation voltage (V_CE(sat))  
- Fast switching speed  
- High input impedance  
- Robust and reliable performance  
- Co-packaged with an ultrafast freewheeling diode  

This IGBT is commonly used in inverters, UPS systems, and other power electronic applications requiring efficient switching.  

(Note: All data is based on manufacturer specifications and may vary under different operating conditions.)