600V DC-1 kHz (Standard) Copack IGBT in a D2-Pak package The IRG4BC10SD-S is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:
### **Specifications:**
- **Voltage Rating (VCES):** 600V  
- **Current Rating (IC @25°C):** 4.5A  
- **Current Rating (IC @100°C):** 3.0A  
- **Power Dissipation (PD):** 38W  
- **Gate-Emitter Voltage (VGE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** 1.65V (typical) @ IC = 4.5A  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 65ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
### **Descriptions:**
- The IRG4BC10SD-S is a high-speed IGBT designed for switching applications.  
- It features low conduction and switching losses, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device includes a co-packaged ultrafast soft recovery diode for improved performance in inductive load applications.  
### **Features:**
- Low VCE(sat) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for high-frequency operation.  
- High input impedance and simplified drive requirements.  
- Co-packaged diode for improved efficiency in freewheeling applications.  
- Robust and reliable performance in industrial and consumer applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
This information is based on Infineon's datasheet for the IRG4BC10SD-S IGBT.