600V UltraFast 10-30 kHz Copack IGBT in a D2-Pak package The IRG4BC15UD-S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Device Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 9A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.65V (typical at specified conditions)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 120ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRG4BC15UD-S is a high-speed IGBT designed for power switching applications. It features low conduction and switching losses, making it suitable for inverters, motor drives, and other high-efficiency power conversion systems.  

### **Features:**  
- **Ultrafast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in conduction.  
- **High Input Impedance:** Simplifies gate drive requirements.  
- **Built-in Fast Recovery Diode:** Improves performance in inductive load applications.  
- **TO-220AB Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  

This information is based on the manufacturer’s datasheet and technical documentation.