600V Fast 1-8 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC20F is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IRF). Here are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C):** 11A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.0V (typical at I_C = 11A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 150ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Suitable for motor control, inverters, and power supplies.  
- Low switching losses and high efficiency.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency.  
- **High Input Impedance:** Easy to drive with standard logic.  
- **Robust Construction:** TO-220 package for good thermal performance.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IRF documentation.

600V Fast 1-8 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package

600V Fast 1-8 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC20F is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 9A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical at I_C = 9A, V_GE = 15V)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 150ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRG4BC20F is a high-speed N-Channel IGBT designed for switching applications. It combines the advantages of MOSFET input characteristics and bipolar output characteristics, making it suitable for high-efficiency power switching.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed** – Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Saturation Voltage (V_CE(sat))** – Enhances efficiency in power conversion.  
- **High Input Impedance** – Simplified gate drive requirements.  
- **Robust and Reliable** – Designed for industrial and consumer applications.  
- **TO-220 Package** – Provides good thermal performance and ease of mounting.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

600V Fast 1-8 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package