600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC20S is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Voltage (V_CES):** 600V  
- **Current (I_C @ 25°C):** 11A  
- **Current (I_C @ 100°C):** 7A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.0V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 320ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRG4BC20S is a high-speed IGBT designed for switching applications. It combines the advantages of MOSFET input characteristics with bipolar output characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **High-speed switching**  
- **Low saturation voltage (V_CE(sat))**  
- **High input impedance**  
- **Robust and reliable performance**  
- **TO-220AB package for easy mounting**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.