600V DC-1 kHz (Standard) Copack IGBT in a D2-Pak package The IRG4BC20SD-S is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 9A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 5.6A  
- **Power Dissipation (P_D @25°C):** 42W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.65V (typical at I_C = 9A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRG4BC20SD-S is a high-speed IGBT designed for switching applications.  
- It features low saturation voltage and fast switching characteristics.  
- Suitable for motor control, inverters, and power supply applications.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat):** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **High Input Impedance:** Simplifies drive circuit requirements.  
- **Temperature-Stable Performance:** Maintains efficiency across operating temperatures.  
- **Co-Packaged Diode:** Includes an ultrafast anti-parallel diode for inductive load handling.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.