600V UltraFast 8-60 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC20U is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRG4BC20U  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 9A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRG4BC20U is a high-speed, low-loss IGBT designed for switching applications. It features a trench gate structure for improved performance and efficiency.  

### **Features:**  
- **High-Speed Switching:** Optimized for fast switching applications.  
- **Low Saturation Voltage:** Reduces conduction losses.  
- **Trench Gate Technology:** Enhances efficiency and switching performance.  
- **High Input Impedance:** Compatible with MOSFET drive circuits.  
- **Isolated Package:** TO-220AB package with isolated mounting base.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

600V UltraFast 8-60 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package