600V UltraFast 8-60 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC20UDPBF is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:
### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VCES):** 600V  
- **Current Rating (IC @25°C):** 9A  
- **Current Rating (IC @100°C):** 6A  
- **Power Dissipation (PD @25°C):** 38W  
- **Gate-Emitter Voltage (VGE):** ±20V  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 140ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  
### **Description:**  
The IRG4BC20UDPBF is a high-speed, low-loss IGBT designed for switching applications. It is optimized for efficiency in motor control, inverters, and power supplies.  
### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage (VCE(sat)):** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **High Input Impedance:** Simplifies gate drive requirements.  
- **Robust Design:** Suitable for rugged industrial environments.  
- **Co-packaged with Ultrafast Diode:** Enhances reverse recovery performance.  
For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official datasheet from Infineon Technologies.