600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a D2-Pak package The IRG4BC20W-S is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 9A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 6A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.0V (typical at I_C = 9A)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low switching losses  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRG4BC20W-S is a high-speed, low-loss IGBT designed for applications requiring efficient power switching. It is optimized for motor control, inverters, and other power conversion systems.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat):** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Minimizes switching losses in high-frequency applications.  
- **High Input Impedance:** Simplified gate drive requirements.  
- **Robust Design:** Suitable for harsh environments.  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRG4BC20W-S.