INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.16V, @Vge=15V, Ic=6.5A) The IRG4BC20WS is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 9A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 6A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 80ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- **Type:** N-Channel IGBT  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Applications:**  
  - Motor drives  
  - Inverters  
  - Switching power supplies  
  - UPS systems  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat)** for improved efficiency.  
- **Fast switching speed** for high-frequency applications.  
- **High input impedance** and low drive requirements.  
- **Robust and reliable** for industrial applications.  
- **Co-packaged with ultra-fast soft recovery diode** for improved performance.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.16V, @Vge=15V, Ic=6.5A)