600V Fast 1-8 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC30F is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 23A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 14A  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical) @ I_C = 23A  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 120ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The IRG4BC30F is a high-speed, rugged IGBT designed for switching applications.  
- It features low conduction and switching losses, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is optimized for motor control, inverters, and other power switching applications.  

### **Features:**
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in conduction.  
- **High Input Impedance:** Simplified gate drive requirements.  
- **Robust Design:** Built-in diode for improved reliability in inductive load applications.  
- **TO-220AB Package:** Industry-standard package for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.