600V HyperFast 1-8 kHz Co-Pack IGBT in a D2-Pak package The IRG4BC30FD-S is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 31A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 19A  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.65V (typical) @ I_C = 15A  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 100ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- The IRG4BC30FD-S is a high-speed, low-loss IGBT designed for high-efficiency switching applications.  
- It features a trench gate structure for improved performance and reduced conduction losses.  
- Suitable for motor control, power supplies, and inverters.  

### **Features:**  
- Low V_CE(sat) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed for high-frequency applications.  
- High current capability with a rugged design.  
- Co-packaged with an ultrafast freewheeling diode for improved efficiency.  
- Pb-free and RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.