600V HyperFast 1-8 kHz Co-Pack IGBT in a D2-Pak package The IRG4BC30FDS is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRG4BC30FDS  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 23A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 14A  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical at I_C = 23A, V_GE = 15V)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 120ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in power conversion.  
- **High Current Capability:** Suitable for medium-power applications.  
- **Temperature-Stable Performance:** Designed for reliable operation under varying thermal conditions.  
- **Co-Packaged Diode:** Includes an ultrafast anti-parallel diode for improved switching performance.  

### **Applications:**  
- Motor drives  
- Power inverters  
- Switch-mode power supplies (SMPS)  
- Induction heating systems  
- UPS systems  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.