600V UltraFast 8-25 kHz Discrete IGBT in a D2-Pak package The IRG4BC30K-S is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 23A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 14A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 160W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical at I_C = 23A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRG4BC30K-S is a high-speed, low-loss IGBT designed for switching applications. It is optimized for efficiency in motor control, power supplies, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low Switching Losses:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances performance in PWM applications.  
- **High Current Capability:** Supports high power handling.  
- **Built-in Fast Recovery Diode:** Improves efficiency in inductive load switching.  
- **Temperature-Stable Characteristics:** Ensures reliable operation under varying conditions.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.