600V UltraFast 8-25 kHz Discrete IGBT in a D2-Pak package The IRG4BC30K-STRR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRG4BC30K-STRR  

### **Description:**  
- The IRG4BC30K-STRR is a high-speed, N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) designed for power switching applications.  
- It is optimized for high efficiency and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating:** 600V  
- **Current Rating:** 23A (collector current, IC)  
- **Low VCE(sat):** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **High Input Impedance:** Simplified gate drive requirements.  
- **TO-220AB Package:** Provides efficient thermal performance.  
- **Temperature Range:** Designed for operation in industrial environments.  

### **Applications:**  
- Motor drives  
- Power inverters  
- Switching power supplies  
- UPS (Uninterruptible Power Supplies)  
- Industrial and automotive systems  

This information is based on Infineon's official datasheet for the IRG4BC30K-STRR. For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the manufacturer's documentation.