600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a D2-Pak package The IRG4BC30KD-STRL is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 23A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 14A  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical at I_C = 23A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 160ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Type:** N-Channel IGBT  
- **Application:** Designed for high-speed switching applications such as motor drives, inverters, and power supplies.  
- **Technology:** Utilizes Infineon’s advanced trench gate field-stop technology for low conduction and switching losses.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in high-current applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **High Current Capability:** Suitable for demanding power applications.  
- **Temperature-Stable Performance:** Maintains efficiency across a wide temperature range.  
- **Integrated Freewheeling Diode:** Provides improved reliability in inductive load switching.  

This IGBT is commonly used in industrial and automotive applications requiring robust power handling and fast switching.