600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a D2-Pak package The IRG4BC30S-S is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 23A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 14A  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.0V (typical) at I_C = 23A  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 110ns (typical)  
- **Input Capacitance (C_ies):** 1800pF (typical)  

### **Description:**
The IRG4BC30S-S is a high-speed, low-loss IGBT designed for applications requiring high efficiency and fast switching. It is suitable for motor control, power supplies, and inverters.  

### **Features:**
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Saturation Voltage:** Reduces conduction losses.  
- **High Input Impedance:** Simplified gate drive requirements.  
- **Temperature-Stable Performance:** Maintains efficiency across a wide temperature range.  
- **Co-Packaged Diode:** Includes an ultra-fast freewheeling diode for inductive load handling.  
- **TO-220AB Package:** Industry-standard through-hole package for easy mounting.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.