600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a D2-Pak package The IRG4BC30W-S is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRG4BC30W-S  

#### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D @25°C):** 23A  
- **Current Rating (I_D @100°C):** 14A  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 4V (min), 6V (max)  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate Charge (Q_g):** 28nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

#### **Package:** TO-263 (D2PAK)  

#### **Description:**  
The IRG4BC30W-S is a high-speed, rugged power MOSFET designed for switching applications. It is optimized for high efficiency and fast switching performance in power conversion circuits.  

#### **Features:**  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **High Voltage Rating:** Suitable for high-power applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **Low Gate Charge:** Improves switching efficiency.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRG4BC30W-S.