600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a D2-Pak package The IRG4BC30W-STRL is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 23A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 14A  
- **Power Dissipation (P_D @25°C):** 160W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical) @ I_C = 23A  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 110ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
- The IRG4BC30W-STRL is a high-speed, low-loss IGBT designed for switching applications.  
- It is optimized for efficiency in motor control, power supplies, and inverters.  
- The device comes in a TO-247 package for robust thermal performance.  

### **Features:**
- **Fast Switching:** Low switching losses for high-frequency applications.  
- **Low V_CE(sat):** Reduces conduction losses.  
- **High Current Capability:** Suitable for medium-power applications.  
- **Temperature Stability:** Designed for reliable operation under high temperatures.  
- **Built-in Fast Recovery Diode:** Enhances performance in inductive load applications.  

This information is sourced from Infineon's official datasheet for the IRG4BC30W-STRL.