600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC30W is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 23A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 14A  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.0V (typical at I_C = 23A, V_GE = 15V)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 150ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
- The IRG4BC30W is a high-speed, rugged IGBT designed for switching applications.  
- It is optimized for low conduction and switching losses.  
- Suitable for motor control, inverters, and power switching circuits.  

### **Features:**  
- **Fast switching speed** for high-frequency applications.  
- **Low V_CE(sat)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** with a rugged design.  
- **Temperature-stable characteristics** for reliable operation.  
- **Co-packaged with ultrafast soft recovery diode** for improved efficiency.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.