INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A) The IRG4BC30WS is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRG4BC30WS  

### **Specifications:**  
1. **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
2. **Current Rating (I_C @25°C):** 23A  
3. **Current Rating (I_C @100°C):** 14A  
4. **Maximum Power Dissipation (P_D):** 160W  
5. **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
6. **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical at I_C = 14A, V_GE = 15V)  
7. **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
8. **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 130ns (typical)  
9. **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
10. **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Speed Switching:** Optimized for fast switching applications.  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures reduced conduction losses.  
- **High Current Capability:** Suitable for high-power applications.  
- **Temperature Stability:** Designed for reliable operation across a wide temperature range.  
- **Robust Construction:** TO-247AC package provides mechanical strength and efficient heat dissipation.  
- **Applications:** Commonly used in power converters, motor drives, UPS systems, and inverters.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.10V, @Vge=15V, Ic=12A)