600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC40W-S is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRG4BC40W-S  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Package:** TO-263 (D2Pak)  

### **Electrical Characteristics:**
- **Collector-Emitter Voltage (V_CES):** 600V  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector Current (I_C @25°C):** 23A  
- **Collector Current (I_C @100°C):** 14A  
- **Pulsed Collector Current (I_CM):** 46A  
- **Power Dissipation (P_D @25°C):** 160W  
- **Maximum Junction Temperature (T_J):** 150°C  

### **Switching Characteristics:**
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 100ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 40ns (typical)  

### **Features:**
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Saturation Voltage (V_CE(sat)):** Improves efficiency.  
- **High Input Impedance:** Easy gate drive compatibility.  
- **Temperature-Stable Operation:** Designed for reliable performance under varying thermal conditions.  
- **Co-Packaged Diode:** Includes an ultrafast anti-parallel diode for inductive load handling.  

### **Applications:**
- Switching power supplies  
- Motor drives  
- Inverters  
- UPS (Uninterruptible Power Supplies)  
- Induction heating  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRG4BC40W-S IGBT. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.