600V Fast 1-8 kHz Copack IGBT in a TO-220 FullPak package The IRG4IBC20FD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  
### **Part Number:** IRG4IBC20FD  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 6A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 3.5A  
- **Power Dissipation (P_D @ 25°C):** 38W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.65V (typical at I_C = 6A, V_GE = 15V)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 100ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRG4IBC20FD is a high-speed, low-loss NPT (Non-Punch Through) IGBT designed for switching applications. It features a fast switching speed and low conduction losses, making it suitable for high-efficiency power conversion systems.  

### **Features:**  
- **High-Speed Switching:** Optimized for fast switching applications.  
- **Low V_CE(sat):** Reduces conduction losses.  
- **Temperature-Stable Characteristics:** Ensures reliable performance under varying conditions.  
- **Co-Packaged Diode:** Includes an ultrafreewheeling diode for improved efficiency in inductive load applications.  
- **Isolated Package:** TO-220AB package with an electrically isolated mounting base for simplified thermal management.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on Infineon’s official datasheet for the IRG4IBC20FD. For detailed electrical characteristics and application guidelines, refer to the manufacturer’s documentation.