600V Fast 1-8 kHz Copack IGBT in a TO-220 FullPak package The IRG4IBC30FD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 23A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 14A  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.0V (typical at I_C = 23A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 24ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 170ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Description:**  
The IRG4IBC30FD is a high-speed, high-efficiency IGBT designed for switching applications. It features low conduction and switching losses, making it suitable for power conversion systems, motor drives, and inverters.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in power applications.  
- **High Current Capability:** Supports high-power switching.  
- **Temperature Stability:** Robust performance across a wide temperature range.  
- **Co-Packaged Diode:** Includes an ultra-fast soft recovery anti-parallel diode for improved reliability.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.