600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-220 FullPak package The IRG4IBC30S is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 23A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 14A  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 160W  
- **Switching Speed:** High-speed switching capability  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-247AC  

### **Description:**  
The IRG4IBC30S is a high-speed IGBT designed for power switching applications. It combines the benefits of MOSFET input characteristics with bipolar output performance, making it suitable for high-efficiency power conversion systems.

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage (V_CE(sat)):** Reduces conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **High Input Impedance:** MOSFET-like gate drive characteristics.  
- **Robust Design:** Built-in anti-parallel diode for inductive load handling.  
- **Temperature Stability:** Designed for reliable operation across a wide temperature range.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-220 FullPak package