600V Fast 1-8 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package The IRG4PC30FPBF is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 23A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 14A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical at I_C = 23A)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low switching losses  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions:**  
- The IRG4PC30FPBF is a high-speed IGBT designed for power switching applications.  
- It combines the advantages of MOSFET input characteristics and bipolar output characteristics.  
- Suitable for high-efficiency power conversion in motor drives, inverters, and UPS systems.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat):** Ensures reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Robust Design:** Features built-in anti-parallel diode for inductive load handling.  
- **High Input Impedance:** Easy to drive with standard gate drivers.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.