600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-247AC package The IRG4PC30S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRG4PC30S  
### **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 23A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 14A  
- **Power Dissipation (P_D @ 25°C):** 100W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.0V (typical) @ 14A  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 40ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 200ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRG4PC30S is a high-speed, rugged IGBT designed for switching applications in power electronics. It combines the benefits of MOSFET input characteristics with bipolar conduction, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in power applications.  
- **High Input Impedance:** Simplifies gate drive requirements.  
- **Rugged Design:** Built to withstand harsh switching conditions.  
- **Isolated Package:** TO-247AC package with isolated mounting for improved thermal performance.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.