600V UltraFast 8-60 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package The **IRG4PC50U** is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by **International Rectifier (IR)**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 55A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 28A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical at I_C = 55A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 160ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
- The **IRG4PC50U** is a **NPT (Non-Punch Through) IGBT** designed for high-speed switching applications.  
- It features **low conduction losses** and **fast switching speeds**, making it suitable for power conversion applications.  

### **Features:**  
- **High-speed switching** for improved efficiency.  
- **Low V_CE(sat)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (55A at 25°C).  
- **Robust and reliable** construction with a wide operating temperature range.  
- **Co-packaged with an ultrafast soft recovery diode** for improved performance in inductive load applications.  

### **Applications:**  
- **Motor drives**  
- **Uninterruptible Power Supplies (UPS)**  
- **Switching power supplies**  
- **Inverters**  
- **Welding equipment**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and knowledge base.