600V UltraFast 8-60 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package The IRG4PC50UD-EPBF is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 55A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 35A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.0V (typical at I_C = 55A, V_GE = 15V)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 130ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions:**  
- The IRG4PC50UD-EPBF is a high-speed, rugged IGBT designed for power switching applications.  
- It features low conduction and switching losses, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The device is optimized for motor control, UPS systems, and industrial inverters.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **High current capability** for robust performance in power circuits.  
- **Temperature-stable characteristics** for reliable operation under varying conditions.  
- **Built-in ultrafast soft recovery diode** for improved reverse recovery performance.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.