INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE The IRG4PC50UDPBF is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRG4PC50UDPBF  

### **Description:**  
- **Type:** N-Channel IGBT  
- **Configuration:** Single IGBT with Ultra-Fast Diode  
- **Package:** TO-247AC  

### **Key Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @ 25°C):** 55A  
- **Current Rating (I_C @ 100°C):** 35A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical) @ I_C = 55A  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 150ns (typical)  
- **Reverse Recovery Time (t_rr):** 120ns (typical)  

### **Features:**  
- **Ultra-Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Saturation Voltage:** Improves efficiency in power conversion.  
- **Built-in Fast Recovery Diode:** Enhances switching performance.  
- **High Current Capability:** Suitable for high-power applications.  
- **Temperature-Stable Operation:** Designed for reliable performance under varying thermal conditions.  
- **TO-247AC Package:** Robust and industry-standard package for power applications.  

### **Applications:**  
- Motor Drives  
- Power Inverters  
- UPS (Uninterruptible Power Supplies)  
- Induction Heating  
- Welding Equipment  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE