330V PDP Trench IGBT in a D2Pak package The IRG7S313U is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 75A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 50A  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.5V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low losses  
- **Package Type:** Module (TO-247 or similar)  

### **Descriptions:**  
- The IRG7S313U is a high-power IGBT module designed for switching applications.  
- It features low conduction and switching losses, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The module is optimized for motor drives, inverters, and industrial power supplies.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 1200V breakdown voltage.  
- **Low Saturation Voltage:** Reduces conduction losses.  
- **Fast Switching:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Temperature Stability:** Reliable performance under high-temperature conditions.  
- **Built-in Diode:** Includes a freewheeling diode for inductive load protection.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

330V PDP Trench IGBT in a D2Pak package