HEXFET Power MOSFET The IRLMS2002PBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRLMS2002PBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  

### **Electrical Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 15A  
- **R_DS(on) (Max):** 45mΩ @ V_GS = 4.5V  
- **R_DS(on) (Max):** 35mΩ @ V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.3W (SOT-23)  

### **Switching Characteristics:**
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 20ns  
- **Rise Time (t_r):** 15ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Optimized for high efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by 4.5V or lower signals.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

### **Applications:**
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management Circuits  
- Load Switching  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IR documentation.

HEXFET Power MOSFET