20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package The IRLMS2002TR is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.3W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SO-8  

### **Descriptions:**  
- The IRLMS2002TR is a compact, surface-mount N-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Compact SO-8 Package:** Space-saving surface-mount design.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by low-voltage control signals (as low as 4.5V).  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet. No additional recommendations or guidance are included.