20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package The IRLMS2002TRPBF is a power MOSFET manufactured by IRF (International Rectifier). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** IRF (International Rectifier)  
- **Part Number:** IRLMS2002TRPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.045Ω (max) at V_GS = 4.5V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.3W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions:**
- The IRLMS2002TRPBF is a small-signal N-Channel MOSFET designed for low-voltage, high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for use in power management circuits, DC-DC converters, and load switching.  
- The SOT-23 package makes it suitable for space-constrained applications.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power conversion.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness in operation.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package The IRLMS2002TRPBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRLMS2002TRPBF  

### **Description:**  
- The IRLMS2002TRPBF is a HEXFET Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low voltage drive applications, making it suitable for battery-powered and portable devices.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 50mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.3W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET MOSFET technology for low conduction losses.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Optimized for 4.5V gate drive applications.  
- Surface-mount package (SO-8) for compact PCB designs.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.