55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR024NPBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRLR024NPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** HEXFET®  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 12nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 580pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**
The IRLR024NPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.

### **Features:**
- **Advanced HEXFET® Technology** for efficient power handling  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
- **Surface-Mount Package (TO-252/DPAK)** for easy PCB integration  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.