100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRLR110 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's datasheet:

### **Key Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 33A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 40pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Description:**
The IRLR110 is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low gate drive power and fast switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by 5V logic circuits.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact and suitable for surface-mount applications.  

These details are based on the manufacturer's datasheet for the IRLR110 MOSFET.