Power MOSFET The IRLR110A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 34A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 180pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 35pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns  
- **Rise Time (t_r):** 30ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
- The IRLR110A is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications.  
- It is optimized for low gate drive requirements and efficient power management.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for improved ruggedness.  
- **Logic-Level Gate Drive** (compatible with 5V logic).  
- **TO-252 (DPAK) Package** for efficient thermal performance.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

Power MOSFET The IRLR110A is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 33A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) to 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 280pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 34ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRLR110A is an N-channel HEXFET® power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power electronics applications.

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency in high-frequency applications.  
- **High Current Handling Capability** (8.3A continuous, 33A pulsed).  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load switching.  
- **TO-252 (DPAK) Package** for efficient thermal performance and PCB mounting.  
- **Silicon Gate Technology** for enhanced reliability.  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the IRLR110A.